Заведующий лабораторией

Бордовский Геннадий Алексеевич

Заслуженный деятель науки РФ, академик РАО, доктор физико-математических наук, профессор.

Научные исследования посвящены физике неупорядоченных полупроводников. Развил научное направление «Полупроводники с позиционной неупорядоченностью решетки». Синтезировал и провел комплексное исследование ряда новых перспективных материалов. Опубликовано более 300 научных работ по тематике лаборатории, в том числе две монографии. Является председателем ряда докторских советов. Первый заместитель председателя НМС по физике Минобрнауки РФ.

Контактная информация

Тел./ факс: +7 (812) 315-53-96
E-mail: gabordovskiy@herzen.spb.ru
Адрес: 191186, С.-Петербург, наб. р. Мойки, 48, корп. 2, ауд.359.
Часы работы: пн-пт с 10.00 до 18.00

Основные направления работы лаборатории

Основные направления работы лаборатории физики неупорядоченных полупроводников связаны с исследованиями:

• механизмов оптического поглощения и переноса заряда в наноструктурированных металлорганических полимерных системах;
• диэлектрических, фотоэлектрических и электретных свойств высокоомных веществ методом диэлектрической спектроскопии (в том числе на инфранизких частотах) и термоактивационного анализа;
• фазовых превращений в электронных подсистемах неупорядоченных полупроводников (стеклообразные материалы, аморфные пленки, наноструктуры, поверхность кристаллов).

Недавние научные результаты

1. Методом абсорбционной мессбауэровской спектроскопии на примесных центрах 119Sn показано, что атомы германия в структуре аморфных и поликристаллических пленок Ge2Sb2Te5 имеют различную симметрию локального окружение (тетраэдрическую в аморфной фазе и октаэдрическую в кристаллической фазе).
2. Методом эмиссионной мессбауэровская спектроскопия на примесных центрах 119mSn, образующихся после радиоактивного распада материнских атомов 119Sb и 119mTe, идентифицированы антиструктурные дефекты олова в узлах сурьмы и теллура кристаллических пленок Ge2Sb2Te5.

Практическое использование результатов

Полученные результаты имеют значение для разработки теории переноса носителей в легированных структурно неупорядоченных и стеклообразных полупроводниках, а также для создания технологии получения материалов с заданным комплексом свойств. Результаты исследования используются в процессе подготовки магистров наук.

Основные публикации

1. А.В. Марченко, Е.И. Теруков,  Ф.С. Насрединов, Ю.А. Петрушин,  П.П. Серегин.Структура ближнего порядка  и антиструктурные дефекты олова в пленках аморфного  и кристаллического Ge2Sb2Te5. Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 1. С. 3 – 8.
2. A.V. Marchenko, E.I. Terukov, F.S. Nasredinov, Ya.A. Petrushin, Local structure and anti-structural defects of tin in amorphous and crystalline Ge2Sb2Te5 folms.Semiconductors. 2021. V. 55. No 1. p.1-6.
3. Г.А. Бордовский , А.В. Марченко, Ф.С. Насрединов,  Ю.А. Петрушин,  П.П. Серегин. Мессбауэровские исследования локального  окружения атомов  в  аморфных  и  кристаллических  пленках  Ge2Sb2Te5. Физика и химия стекла 2021. т. 47. No 2. c. 179-189
4. G.A. Bordovskii, A.V. Marchenko, F.S. Nasredinov, Ya.A. Petrushin, P.P. Seregin. Mossbauer studies of the local surrounding of atoms in amorphous and crystalline Ge2Sb2Te5 films. Glass Physics and Chemistry. 2021. V. 47. No 2. p. 166-172.
5. Марченко А.В. Локальная структура аморфных и кристаллических сплавов Ge2Sb2Te5  и  Ge1.5As0.4Te8.1 / А.В. Марченко, П.П. Серегин, В.А. Доронин, Ю.А. Петрушин // Инженерная физика. – Изд-во Научтехлитиздат, 2021. – №2. – С.34-42.
6. А.В. Марченко, П.П. Серегин, В.А. Доронин, Ю.А. Петрушин Локальная структура и антиструктурные дефекты олова в аморфных и кристаллических пленках Ge2Sb2Te5 и Ge1.5As0.4Te8.1.  Журнал “Инновационная наука”. – 2021. – №2. – с.16-18.
7. Yu.A. Petrushin, A.V. Marchenko, P.P. Seregin, Local structure of amorphous and crystalline Ge2Sb2Te5 films.  Physics of Complex Systems, 2 (2), с. 61-67.