Главная » Научная деятельность » Научно-исследовательский институт физики » Лаборатория физики неупорядоченных полупроводников

Лаборатория физики неупорядоченных полупроводников

 


Заведующий лабораторией

Бордовский Геннадий Алексеевич

Заслуженный деятель науки РФ, академик РАО, доктор физико-математических наук, профессор.

Научные исследования посвящены физике неупорядоченных полупроводников. Развил научное направление «Полупроводники с позиционной неупорядоченностью решетки». Синтезировал и провел комплексное исследование ряда новых перспективных материалов. Опубликовано более 300 научных работ по тематике лаборатории, в том числе две монографии. Является председателем ряда докторских советов. Первый заместитель председателя НМС по физике Минобрнауки РФ.

Контактная информация

Тел./ факс: +7 (812) 315-53-96
E-mail: gabordovskiy@herzen.spb.ru
Адрес: 191186, С.-Петербург, наб. р. Мойки, 48, корп. 2, ауд.359.
Часы работы: пн-пт с 10.00 до 18.00

Основные направления работы лаборатории

Основные направления работы лаборатории физики неупорядоченных полупроводников связаны с исследованиями:

  • механизмов оптического поглощения и переноса заряда в наноструктурированных металлорганических полимерных системах;
  • диэлектрических, фотоэлектрических и электретных свойств высокоомных веществ методом диэлектрической спектроскопии (в том числе на инфранизких частотах) и термоактивационного анализа;
  • фазовых превращений в электронных подсистемах неупорядоченных полупроводников (стеклообразные материалы, аморфные пленки, наноструктуры, поверхность кристаллов).

 

Недавние научные результаты

  1. Методом абсорбционной мессбауэровской спектроскопии на примесных центрах 119Sn показано, что атомы германия в структуре аморфных и поликристаллических пленок Ge2Sb2Te5 имеют различную симметрию локального окружение (тетраэдрическую в аморфной фазе и октаэдрическую в кристаллической фазе).
  2. Методом эмиссионной мессбауэровская спектроскопия на примесных центрах 119mSn, образующихся после радиоактивного распада материнских атомов 119Sb и 119mTe, идентифицированы антиструктурные дефекты олова в узлах сурьмы и теллура кристаллических пленок Ge2Sb2Te5.

Практическое использование результатов

Полученные результаты имеют значение для разработки теории переноса носителей в легированных структурно неупорядоченных и стеклообразных полупроводниках, а также для создания технологии получения материалов с заданным комплексом свойств. Результаты исследования используются в процессе подготовки магистров наук.

Публикации

  1. Бордовский Г.А., Марченко А.В., Теруков Е.И., Насрединов Ф.С., Серегин П.П. Мессбауэровское исследование примесных атомов цинка в галогенидах щелочных металлов и меди / Физика твердого тела, 2024. – Т. 66, № 1. – С. 51–55. DOI: 10.61011/FTT.2024.01.56936.229.
  2. Marchenko A.V., Terukov E.I., Nasredinov F.S., Kiselev V.S., Seregin P.P. Investigation of Sodium and Copper Halides by the Method of Mossbauer Spectroscopy on the Isotope 67Zn / Technical Physics Letters, 2023. – V. 49, № S4. – P. S334–S337. DOI: 10.1134/S1063785023010248.
  3. Marchenko A.V., Terukov E.I., Nasredinov F.S., Petrushin Yu.A., Seregin P.P. Nature of the Local Environment of Germany Atoms in Amorphous Films (GeTe)x(Sb2Te3) / Technical Physics Letters, 2023. – V. 49, № S4. – P. S380-S383. DOI: 10.1134/S1063785023900820.
  4. Marchenko A.V., Terukov E.I., Nasredinov F.S., Petrushin Yu.A., Seregin P.P. Local Structure of Amorphous (GeTe)x(Sb2Te3) Films / Technical Physics, 2023. – V. 68, № S1. – P. S88–S95. DOI: 10.1134/S1063784223090104.
  5. Bordovsky G.A., Nasredinov F.S., Nasredinov F.S., Petrushin Yu.A., Seregin P.P. Nature of the Local Environment of Atoms in Ge3Sb2Te6, Ge2Sb2Te5, GeSb2Te4, and GeSb4Te7 Amorphous and Crystalline Films / Glass Physics and Chemistry, 2023. – V. 49, № 1. – P. 50–56. DOI: 10.1134/s1087659622600867.
  6. Marchenko A.V., Terukov E.I., Nasredinov F.S., Kiselev V.S., Seregin P.P. Investigation of Sodium and Copper Halides by the Method of Mossbauer Spectroscopy on the Isotope 67Zn / Technical Physics Letters, 2023. – V. 49, № 14. – P. 43–46. DOI: 10.21883/PJTF.2023.14.55826.19612.
  7. Marchenko A.V., Seregin P.P., Doronin V.A., Petrushin Yu.A. Local Structure of Amorphous and Crystalline Alloys Ge2Sb2Te5 and Ge1.5As0.4Te8.1 / Engineering Physics, 2021. – № 2. – С. 34–42. DOI: 10.25791/infizik.2.2021.1190.
  8. Марченко А.В., Теруков Е.И., Насрединов Ф.С., Петрушин Ю.А., Серегин П.П. Cтруктура ближнего порядка и антиструктурные дефекты олова в пленках аморфного и кристаллического Ge2Sb2Te5 / Физика и техника полупроводников, 2021. – Т. 55, № 1. – С. 3–8. DOI: 10.21883/FTP.2021.01.50376.9524.
  9. Бордовский Г.А., Марченко А.В., Насрединов Ф.С., Петрушин Ю.А., Серегин П.П. Мессбауэровские исследования локального окружения атомов в аморфных и кристаллических пленках Ge2Sb2Te5 / Физика и химия стекла, 2021. – Т. 47, № 2. – С. 179–189. DOI: 10.31857/S0132665121020037.