Главная » Новости » Герценовский университет и Московский институт электронной техники укрепляют связи

Герценовский университет и Московский институт электронной техники укрепляют связи

В 2021 году между РГПУ им. А. И. Герцена и НИУ МИЭТ было подписано соглашение о сотрудничестве, в рамках которого стороны успешно сотрудничают в области исследования функциональных материалов электронной техники. В данный момент ведется совместная работа в рамках гранта Российского научного фонда по теме «Первопринципный дизайн функциональных халькогенидных двумерных полупроводников для устройств нано- и оптоэлектроники, включая гибкую электронику», а весной этого года была подана заявка на двусторонний проект РНФ — Государственный фонд естественных наук (Китай). Результаты совместной работы были представлены на международной конференции FunChaPTA-1, которая проходила с 23 по 27 июля на базе МИЭТ-Технополис Москва. Активное участие в проведении и организации конференции принял директор института физики Александр Колобов.

В рамках успешного научного сотрудничества Герценовский университет и НИУ МИЭТ решили расширить взаимодействие, включив в него сферы образования и культуры. Для обсуждения возможностей взаимодействия институт физики Герценовского университета посетила делегация НИУ МИЭТ во главе с проректором по учебной работе Александром Балашовым. В состав делегации также вошли начальник лаборатории «Материалы и устройства активной фотники» Петр Лазаренко и ассистент института перспективных материалов и технологий Виктория Пестова. Директор института физики Александр Колобов и заместитель директора по научной работе Алексей Кононов обсудили с членами делегации возможности разработки совместных программ, в том числе сетевых, а также прохождения студентами практики в вузах-партнёрах. Для членов делегации была проведена экскурсия по историческим объектам Герценовского университета, а также учебным помещениям и научным лабораториям института физики. Гости осмотрели купольный комплекс и астрономическую обсерваторию университета.

В рамках встречи также были подробно рассмотрены вопросы подготовки кадров для предприятий российской микроэлектроники. Эта тема обсуждалась, в том числе в контексте работы Координационного совета «Кадровое обеспечение микроэлектроники», заместителем директором которого является Александр Балашов. На встрече было отмечено, что преподавание в вузе курсов физики и предметов, связанных с микроэлектроникой, затруднительно без соответствующей школьной подготовки. В связи с этим были подробно рассмотрены проблемы, связанные с подготовкой современного учителя физики. В частности, обсуждалась необходимость тесного сотрудничества между техническими и педагогическими вузами.

Одна из задач Координационного совета — организация международного сотрудничества, в том числе реализация академической мобильности и привлечение в российские вузы иностранных специалистов и абитуриентов из дружественных стран. Для этого иностранным специалистам и абитуриентам нужно знать не только основы русского языка, но и специальную лексику. В рамках этой задачи прошла встреча с проректором Герценовского университета по международной деятельности и интернационализации Дмитрием Мерешкиным, директором института русского языка как иностранного Татьяной Шарри и заведующей кафедрой интенсивного обучения русскому языку как иностранному Валентиной Гавриловой. Они договорились вместе разработать пособия по русскому языку для иностранцев с учётом лексики, которая нужна для понимания физики, материаловедения и приборов современной полупроводниковой электроники.

 

Новости