Главная » Институт физики » История института » Из истории кафедры физической электроники

Из истории кафедры физической электроники

Кафедра физической электроники появилась на факультете физики в 1963 году. Первым руководителем и ее фактическим создателем был доктор физико-математических наук, профессор Иоганн Моисеевич Бронштейн. Его учениками являются многие нынешние руководители нашего университета. На кафедре было организовано 4 научные лаборатории: эмиссионной электроники, физики плазмы, физики высокоомных полупроводников и физики диэлектриков, возглавляемые такими крупными специалистами, как Валерий Александрович Извозчиков, Геннадий Алексеевич Бордовский, Борис Афанасьевич Тазенков, В.М. Гольдфарб. На базе этих лабораторий выросли целые научные школы, известные не только в России, но и во всем мире. Научные разработки сотрудников кафедры внесли огромный вклад в развитие как фундаментальной, так и прикладной науки нашей страны.

Очень многое было сделано в созданной Иоганном Моисеевичем лаборатории эмиссионной электроники. С его легкой руки в нашем институте стали изготавливать сложнейшие сверхвысоковакуумные приборы, аналогов которым не было в мире, разрабатывались и реализовывались уникальные эксперименты и технологии, получившие мировое признание. В области теории вторично-эмиссионных явлений И.М.Бронштейн до сих пор остается бесспорным мировым авторитетом, а монография И.М. Бронштейна и Б.С. Фраймана «Вторичная электронная эмиссия» остается настольной книгой тех, кто занимается теорией эмиссионных свойств и разработкой электронно-лучевых технологий.

Основные достижения кафедры по исследованию сегнетоэлектрических явлений связаны с именем профессора, доктора физико-математических наук Эрика Викторовича Бурсиана, который возглавил кафедру в 1978 году. В рамках созданной им лаборатории по изучению физики сегнетоэлектриков было организовано проведение выдающихся экспериментальных работ в этом направления, которые по достоинству были оценены большинством отечественных и зарубежных ученых. При этом и другие научные направления кафедры продолжали активно развиваться. Э.В. Бурсиан активно способствовал созданию и развитию учебных курсов, ориентированных на внедрение компьютерных технологий, обеспечивая им как организационную, так и научно методическую поддержку.

На кафедре также были развернуты масштабные исследования оптоэлектронных процессов в высокоомных неупорядоченных кристаллических и стеклообразных полупроводниках, проводимых в лаборатории высокоомных полупроводников под руководством академика РАО, доктора физ.-мат. наук, профессора Бордовского Г.А. В частности, одно из основных направлений исследований лаборатории — изучение процессов переноса и накопления зарядов в системе фотоэлектрически активных материалов класса халькогенидных стекол является современным развивающимся научным направлением решения задач теоретического и практического характера.

С 1998 года заведующим кафедрой физической электроники является профессор доктор физико-математических наук Самуил Давидович Ханин. Под его руководством была создана новая лаборатория компонентов и материалов твердотельной электроники, которая объединилась с лабораторие физики сегнетоэлектриков. Новым направлением научной работы стало исследование электронных процессов в сильно неупорядоченных системах, в частности электронно- и ионно-стимулированных явлений в слоях оксидов переходных металлов а также фазовых переходов «металл — диэлектрик» и «металл-полупроводник» в поликристаллических и аморфных оксидах переходных металлов. Результаты этих исследований находятся на переднем крае физики структурно-разупорядоченных и сильно неоднородных материалов в части представлений о процессах в электронной и атомно-ионной системах и их взаимосвязи.

В 2018 года кафедру физической электроники возглавил доктор физ.- мат. наук, профессор Александр Владимирович Колобов. А.В. Колобов начал свою научную деятельность в 1979 в ФТИ им. Иоффе а лаборатории профессора Б.Т. Коломийца после окончания кафедры оптоэлектроники ЛЭТИ им. В.И. Ульянова (Ленина). В разные периоды своей работы стажировался и работал в Кембриджском университете, Высшей школе индустриальной физики и химии Парижа, Левенском католическом университете, Университете Монпелье. С 1994 года работал в Национальном институте передовой индустриальной науки и технологии в Цукубе, Япония; последние 10 лет в должности главного научного сотрудника (prime senior researcher). Научные интересы профессора А.В. Колобова включают аморфные и стеклообразные полупроводники, фазопеременные материалы, оптическая и электронная память на фазопеременных материалах, двумерные полупроводники, использование синхротронного излучения для анализа структуры материалов, расчет свойств материалов из первых принципов. А. В. Колобов является автором более 250 научных трудов, опубликованных в ведущих международных журналах, в том числе трех монографий.